Leírás
Technikai paraméterek
C (in):720 pF
C (out):150 pF
Csatorna típus:P
D-S védelem:dióda
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):50 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:Beépített Gate védő dióda
G-S védelem:van
Gyártó:NEC
Id(imp):30 A
Id(T=25):12 A
Idss (max):12 A
Láb szám:3 db
Pd:23 W
Rds(on):0,13 Ohm
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):35 ns
td(on):7 ns
Technológia:P-channel MOS Field Effect Transistor
Tokozás:TO-251 ( I-Pak )
Tokozás (adatlap szerint):TO-251 ( I-Pak )
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):60 V
Vgs:20 V
