Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:–
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:–
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:10 MHz
Gyártó:Korea Electronics Semi.
Gyártói rendelési szám:KTB668
hFE max.:160
hFE min.:55
Ic:8 A
Jelzés a tokon:B668
Láb szám:3 db
Max. hőmérséklet:+150 °C
Pd:80 W
Spec.info:Párja 2SD718
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Tokozás:TO-3PN ( 2-16C1B )
Tokozás (adatlap szerint):TO-3PN
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:–
Vcbo:120 V
VCE(sat):2,5 V
Vceo:120 V
Vebo:5 V




