Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:–
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:–
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:160 MHz
Funkció:Low frequency power amplifier
Gyártó:Hitachi
Ic:2,5 A
Infó1:Silicon PNP Epitaxial
Pd:10 W
Spec.info:Párja: 2SC1162
Tranzisztor típus:PNP
Vceo:35 V




