Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:350 MHz
Funkció:HF and IF stages in radio receivers
Gyártó:SIEMENS
hFE max.:90
hFE min.:30
Ic:25 mA
Ic(puls):–
Láb szám:3 db
Max. hőmérséklet:+150 °C
Pd:300 mW
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Epitaxial Planar Transistor
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:–
Vcbo:40 V
VCE(sat):–
Vceo:40 V
Vebo:4 V




