Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):110 pF
C (out):9 pF
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:70 MHz
Gyártási idő:1997.04
Gyártó:CDIL
hFE max.:250
hFE min.:40
Ic:1 A
Ic(puls):–
Láb szám:3 db
Pd:800 mW
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Planar Epitaxial transistor
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vcbo:45 V
VCE(sat):0,5 V
Vceo:45 V
Vebo:5 V




