Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:–
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:–
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:100 MHz
Funkció:általános célra
Gyártó:DIODES INC.
hFE max.:800
hFE min.:420
Ic:100 mA
Ic(puls):200 mA
Jelzés a tokon:3 G
Láb szám:3 db
Pd:250 mW
ROHS:igen
Spec.info:SMD KOD: 3G or 4C
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
Technológia:Epitaxial Planar Transistor
Tokozás:SOT-23 ( TO-236 )
Tokozás (adatlap szerint):SOT-23 ( TO236 )
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vcbo:30 V
VCE(sat):0,3 V
Vceo:30 V
Vebo:5 V




