Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):4,5 pF
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:100 MHz
Gyártó:NEXPERIA
hFE max.:475
hFE min.:220
Ic:100 mA
Ic(puls):200 mA
Jelzés a tokon:3B
Kiváltója:ON Semiconductor: BC856BLT1G
Láb szám:3 db
Pd:300 mW
ROHS:igen
Spec.info:SMD kód 3B
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
Tokozás:SOT-23 ( TO-236 )
Tokozás (adatlap szerint):SOT-23 ( TO236 )
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:-65…+150 °C
Vcbo:80 V
VCE(sat):0,065 V
Vceo:65 V
Vebo:5 V




