Leírás
Technikai paraméterek
B-E dióda:–
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
Félvezető anyaga:Si
fT:200 MHz
Gyártó:ON Semiconductor
hFE min.:8000
Ic:1 A
Pd:0,625 W
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Tokozás:TO-92
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
VCE(sat):1 V
Vceo:80 V




