Akció!

Vedd meg most Tranzisztor N-MOSFET 1200V 97A/207Ap 382W 0.017R (69A) IMZC120R017M2HXKSA1

7 896,86 Ft3 158,74 Ft

Ingyenes szállítás 2 000,00 Ft feletti rendelés esetén

  • Rendelését gyorsan kiszállítjuk, és ingyenes szállítást kínálunk.
  • 30 napos visszaküldési és visszatérítési lehetőség
Biztonságos fizetés
Támogatott fizetési módok
Cikkszám: SK0009306-HU20260530-091150 Kategória:

Leírás

Technikai paraméterek

C (in):2910 pF

C (out):126 pF

Csatorna típus:N

D-S védelem:van

DB/tokozás:1 darab

FET típusa:MOSFET

Funkció:EV Charging, Online UPS, Industrial UPS, String inverter, Energy Storage Systems (ESS)

G-S védelem:nincs

Gyártó:Infineon Technologies

Gyártói rendelési szám:IMZC120R017M2HXKSA1

Id(imp):207 A

Id(T=100):69 A

Id(T=25):97 A

Idss (max):350 uA

Idss (min):6 uA

Jelzés a tokon:12M2H017

Láb szám:4 db

Pd:382 W

Rds(on):0,017 Ohm

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):21,2 nS

td(on):10 ns

Technológia:MOSFET – SiC Power, Single N-Channel

Tokozás:TO-247

Tokozás (adatlap szerint):PG-TO247-4-U07

Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C

Vds(max):1200 V

Vgs:10…25V transient Voltage, 7…23V static voltage

Vgs(th) max.:5,1 V

Vgs(th) min.:3,5 V