Vedd meg online FGA6540WDF N-IGBT 650V 80A/120Ap 238W Vce(sat)1.8V – 2.3V

C (in):1525 pF

C (out):60 pF

C-E dióda:van

Csatorna típus:N

Dioda Trr(Min.):101 ns

Funkció:High Input Impedance, Fast Switching

G-E Dióda:nincs

Gyártó:ON Semiconductor

Gyártói rendelési szám:FGA60N65SMD

Ic:80 A

Ic(puls):120 A

Ic(T=100°C):40 A

Jelzés a tokon:FGA6540WDF

Láb szám:3 db

Pd:238 W

ROHS:igen

súly:6,401 g

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):54,4 ns

td(on):16,8 ns

Technológia:Field Stop Trench IGBT

Tokozás:TO-3P ( TO-218 SOT-93 )

Tokozás (adatlap szerint):TO-3PN

Üzemi hőmérséklet:-55…+175 °C

VCE(sat):1,8 V

VCE(sat)max.:2,3 V

Vceo:650 V

VGE:20 V

VGE(th) min.:4,1 V

VGE(th)max.:7,6 V