Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:1.2 GHz
Gyártó:SGS
hFE max.:210
hFE min.:70
Ic:0,4 A
Ic(puls):–
Láb szám:3 db
Pd:1 W
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Epitaxial Planar Transistor
Tokozás:TO-39 ( TO-205 )
Tokozás (adatlap szerint):TO-39
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-65…+200 °C
Vcbo:40 V
VCE(sat):0,5 V
Vceo:20 V
Vebo:3 V




