Vedd meg online Tranzisztor NPN+DR 1600/800V 12A/36Ap. 85W 0.3uS 2SC5696

B ellenállás:–

B-E dióda:–

B-E ellenállás:van

C (in):–

C (out):–

C-E dióda:van

Darlington?:nem

DB/tokozás:1 db

Félvezető anyaga:Si

fT:kHz

Funkció:High speed

Gyártó:SANYO

hFE max.:11

hFE min.:3

Ic:12 A

Ic(puls):36 A

Jelzés a tokon:C5696

Láb szám:3 db

Max. hőmérséklet:+150 °C

Pd:85 W

ROHS:igen

Szerelés:furatszerelt ( THT )

Technológia:Triple Diffused Planar Silicon Transistor

tf(max):0,3 us

Tokozás:TO-3PF ( SOT399, 2-16E3A )

Tokozás (adatlap szerint):TO-3PMLH

Tranzisztor típus:NPN

Üzemi hőmérséklet:–

Vcbo:1600 V

VCE(sat):3 V

Vceo:800 V

Vebo:5 V