Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):4 pF
C-E dióda:nincs
Darlington?:nem
DB/tokozás:1 darab
Félvezető anyaga:Si
fT:100 MHz
Gyártó:TOSHIBA
Gyártói rendelési szám:2SA1163-GR
hFE max.:400
hFE min.:200
Ic:0,1 A
Jelzés a tokon:CG
Láb szám:3 db
Pd:150 mW
ROHS:igen
Spec.info:párja: 2SC2713-GR
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
Technológia:Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
Tokozás:SOT-23 ( TO-236 )
Tokozás (adatlap szerint):2-3F1A
Tranzisztor típus:PNP
Vcbo:120 V
Vceo:120 V
Vebo:5 V




